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沈陽(yáng)科儀高真空電弧熔煉及吸鑄系統(tǒng)--DHL400 真空室結(jié)構(gòu):圓筒形上升蓋 真空室尺寸:φ400X320mm 極限真空度:≤8.0E-5Pa 沉積源:無(wú) 樣品尺寸，溫度: 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約2.1米x2.2米x2.2米 電控描述:手動(dòng) 工藝:不含工藝 特色參數(shù):共有5工位(半球窩SR35)，3熔煉合金工位(帶磁攪拌)，1吸鑄工位，1熔煉除氣工位;

沈陽(yáng)科儀高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PLD450 真空室結(jié)構(gòu):球形前開(kāi)門(mén) 真空室尺寸:450mm 極限真空度:≤6.67E-6Pa 沉積源:2英寸靶材，4個(gè) 樣品尺寸，溫度:2英寸，1片，最高800℃C 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約1.8米x0.97米x1.9米 電控描述:全自動(dòng)

沈陽(yáng)科儀高真空電子?xùn)|及熱阻薄膜沉積系統(tǒng) 真空室結(jié)構(gòu):U形前開(kāi)門(mén) 真空室尺寸:500x500x600mm 極限真空度:≤6.67E-5Pa 沉積源:4個(gè)11cc坩堝 樣品尺寸，溫度:φ4英寸，1片，最高800C 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約2.7米x1.7米x2.1米 電控描述:全自動(dòng) 工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤+3% 特色參數(shù):樣品可自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速可調(diào)

沈陽(yáng)科儀高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PVD500 真空室結(jié)構(gòu):方形前開(kāi)門(mén) 真空室尺寸:p500x500x500mm 極限真空度:≤3.0E-5Pa 沉積源:永磁靶4套，2英寸 樣品尺寸，溫度:p4英寸，1片，最高800°C 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約2米x1.7米x2米 電控描述:全自動(dòng) 工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤3%

沈陽(yáng)科儀高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)--TRP450 真空室結(jié)構(gòu):圓筒形前開(kāi)門(mén) 真空室尺寸:φ450x400mm 極限真空度:≤6.6E-6Pa 沉積源:永磁靶3套，2英寸，可以向上濺射或向下濺射。 樣品尺寸，溫度:φ4英寸，1片，最高800C 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約1米x1.8米x2米 電控描述:全自動(dòng) 工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤3%